寒武纪受益存储芯片涨价与国产替代，业绩爆发引领AI芯片热潮

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寒武纪（2025-10-09）炒作逻辑：寒武纪今日因DRAM涨价预期和商务部政策利好，叠加公司定增完成、业绩扭亏及技术优势，股价受市场追捧。作为国内AI芯片龙头，前景看好，但投资需谨慎。

寒武纪受益存储芯片涨价与国产替代，业绩爆发引领AI芯片热潮

来源：专家复盘组时间：2025-10-09 16:29 关键词：寒武纪存储芯片 AI芯片国产替代业绩增长定增

今日炒作逻辑
明日走势预判
明日操盘策略
炒作逻辑说明

寒武纪（2025-10-09）真正炒作逻辑：存储芯片+AI芯片+国产替代+业绩增长

1、DRAM涨价预期：韩国和美国DRAM厂商暂停报价，预计2025年第四季度DRAM报价上涨30%以上，部分规格涨幅超50%，利好存储芯片产业链需求，寒武纪作为芯片公司间接受益。
2、国产替代政策：商务部公告要求14纳米及以下逻辑芯片或256层及以上存储芯片的出口申请逐案审批，限制高端芯片供应，推动国内芯片企业替代，寒武纪作为国产AI芯片龙头受益。
3、定增强化算力：公司定增333.4946万股完成，募资39.53亿元用于大模型芯片及软件平台项目，强化算力软硬件矩阵，提升AI竞争力。
4、业绩爆发增长：2025年上半年营收28.81亿元，同比增4347.82%，归母净利润10.38亿元，实现扭亏为盈，显示公司基本面向好。
5、技术产品领先：公司智能芯片及基础系统软件全面支持主流开源大模型训练与推理，批量供货大模型算法公司和服务器厂商，技术全栈能力突出。

1、高开可能性大：今日炒作情绪高涨，明日可能高开，但需注意开盘后获利盘抛压。
2、波动加剧：成交量可能放大，股价波动加大，冲高后或有回落风险。
3、整体偏强：若市场情绪持续，可能维持强势，但需关注外部消息面影响。

1、逢低布局：若股价回调至支撑位，可考虑分批买入，避免追高。
2、设置止损：建议设置止损位在今日低点附近，控制下行风险。
3、关注资金流向：密切监控盘中大单资金流向，若持续流入可持有，流出则减仓。

1、行业驱动：DRAM涨价预期直接提升存储芯片产业链需求，寒武纪作为芯片设计公司，业务涉及存储相关领域，间接受益于价格上涨趋势。
2、政策催化：商务部出口限制政策加速国产芯片替代进程，寒武纪在14纳米以下逻辑芯片和存储芯片领域具备技术积累，政策利好提升市场份额预期。
3、公司基本面：定增募资用于大模型项目，强化算力布局；业绩大幅增长显示盈利改善；产品支持大模型训练推理，批量供货证明商业化能力，技术全栈优势构建壁垒。
4、市场情绪：多重利好叠加，吸引资金关注，推动今日炒作，但需理性看待短期波动。

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